《硅集成电路工艺基础》

所属分类

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图书简介

本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十章，其中第一章简单地讲述了硅的晶体结构，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后一章讲述的是工艺集成。 本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技

图书目录

第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中杂质 1.5 杂质在硅晶体中溶解度 参考文献 第二章 氧化 2.1 SiO2的结构及性质 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.3 硅的热氧化生长动力学 2.4 硅的热氧化生长动力学